講演情報
[25a-P03-5]MOVPE 法によるAlN 上への格子整合系GaN 成長の実現
〇吉川 陽1,2、永富 隆清1、永瀬 和宏1、杉山 聖1、レオ ショワルター2 (1.旭化成、2.名古屋大学)
キーワード：
AlN,GaN
本研究では種々の条件検討の結果, MOVPE法においても20 nmものGaNを格子整合した状態でAlN上に成長させることに初めて成功した. これらの結果はAlN上に格子整合AlGaN/GaN構造をMOVPE 法でも実現できるポテンシャルを初めて示した成果であり, 今後の当分野の発展への貢献が大いに期待される.