[25a-P03-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25a-P03-7] THz-TDSEによるMgイオン注入したGaN単結晶の電気特性評価(III)

〇王 丁丁¹、土田 海渡¹、藤井 高志^1,3、出浦 桃子²、岩本 敏志³、須山 篤志⁴、川野輪 仁⁴、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.日邦プレシジョン、4.イオンテクノセンター)

キーワード：

窒化ガリウム,テラヘルツエリプソメトリ,イオン注入