講演情報
[25a-P03-9]窒化ガリウム中におけるVGa-VN周りの欠陥反応解析
中村 城太1、〇小田 将人1、寒川 義裕2 (1.和歌山大シス工、2.九大応力研)
キーワード：
欠陥反応,窒化ガリウム,第一原理計算
窒化ガリウム（GaN）は次世代パワーデバイスの有望な材料だが、欠陥密度が高いという問題がある。最近、VGa-VNが大型複合空孔欠陥へと成長することが観測された。大型複合欠陥はキャリア散乱の原因となり、電子デバイスにとって致命的である。本研究では、第一原理電子状態計算を用いてVGa-VNの移動障壁を調査した。その結果、VGa(VN)の移動障壁は2.2 (3.3) eVであり、これはGaNをアニールする際に起こりうる反応であることが示唆された。