セッション詳細
[25p-1BJ-1~7]CS.6 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション
2024年3月25日(月) 13:00 〜 14:45
1BJ (1号館)
清水 荘雄(物材機構)
[25p-1BJ-1]上部電極越しに観察した HfO2 系強誘電体の分極コントラスト: レーザー励起光電子顕微鏡
〇藤原 弘和1,2、糸矢 祐喜3、小林 正治3,4、Bareille Cédric5、辛 埴6、谷内 敏之1,2 (1.東大新領域、2.東大MIRC、3.東大生産研、4.東大d.lab、5.東大物性研、6.東大特別教授室)
[25p-1BJ-2]CeO2-HfO2-ZrO2薄膜の結晶構造と強誘電性の評価
〇(M1)下野園 航平1、前川 芳輝1、茶谷 那知1、岡本 一輝1、山岡 和希子2、川島 康2、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東工大、2.TDK株式会社)
[25p-1BJ-3]Non-doped HfO2 ALD 薄膜成長における非平衡相の安定化
〇市川 龍斗1、内藤 圭吾1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
[25p-1BJ-4]フラッシュランプアニール処理による強誘電性 HfxAl1-xO2 薄膜の形成
〇植野 雄守1、谷村 英昭1、阪本 直希2、三船 智哉2、加藤 慎一1、三河 巧1、中嶋 誠二2、藤沢 浩訓2 (1.株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ、2.兵庫県立大学)
[25p-1BJ-5]二段階昇温フラッシュランプアニールによるHf0.5Zr0.5O2薄膜の分極特性向上
〇谷村 英昭1、太田 裕登3、植野 雄守1、河原崎 光1、加藤 慎一1、三河 巧1、奈良 安雄2,3 (1.SCREEN、2.東京都市大、3.兵庫県立大)
[25p-1BJ-6]フォトリソグラフィ工程におけるレジストの凝固が(Hf,Zr)O2薄膜の結晶化に与える影響
〇飛鳥 剛士1、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1 (1.兵庫県立大工)
[25p-1BJ-7]エピタキシャルYSZ薄膜およびYHfO2薄膜のGHz帯のDC電界誘起圧電性
〇勝又 彩馨1,2、島野 耀康1,2、柳谷 隆彦1,2,3,4 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)