[25p-1BJ-1~7] CS.6 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

13:45 〜 14:00

[25p-1BJ-4] フラッシュランプアニール処理による強誘電性 Hf_xAl_1-xO₂ 薄膜の形成

〇植野 雄守¹、谷村 英昭¹、阪本 直希²、三船 智哉²、加藤 慎一¹、三河 巧¹、中嶋 誠二²、藤沢 浩訓² (1.株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ、2.兵庫県立大学)

キーワード：

強誘電体,フラッシュランプアニール,低熱履歴