[25p-1BJ-1~7] CS.6 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[25p-1BJ-7] エピタキシャルYSZ薄膜およびYHfO₂薄膜のGHz帯のDC電界誘起圧電性

〇勝又 彩馨^1,2、島野 耀康^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)

キーワード：

誘起圧電性

2011年にドイツでHfO₂を含めた蛍石構造における強誘電性が発見されて以降、その圧電性も注目されている。また、Y₂O₃をドープすることにより、難しいとされていた強誘電性HfO₂のバルク単結晶育成も報告されている。
そこで我々は、BAW共振子応用を目的として、スパッタエピタキシャルによるYSZ薄膜およびHfO₂薄膜を作製した。しかし、As grownで圧電性はほとんど生じなかった。そこで、DC電圧を印加しながら変換損失を測定したところ、圧電性が誘起したことを報告する。