セッション詳細
[25p-21C-1~6]15.4 III-V族窒化物結晶
2024年3月25日(月) 13:30 〜 15:00
21C (2号館)
濱口 達史(三重大)
[25p-21C-1]Structural and morphological investigation of N-polar InGaN epilayers grown on misoriented ScAlMgO4 substrates
〇(D)Mohammed Ali Najmi1, Pavel Kirilenko1, Daisuke Iida1, Kazuhiro Ohkawa1 (1.King Abdullah Univ. of Science and Technology)
[25p-21C-2]加圧MOVPE成長In-polar InNのキャリア散乱機構
〇山下 雄大1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
[25p-21C-3]InAlN熱電薄膜のRF-MBEにおける成長温度依存性
〇服部 翔太1、荒木 努1、出浦 桃子2 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)
[25p-21C-4]GaInN下地層とその場共振器長制御を有する高効率GaN系VCSELのエピタキシャル成長
〇西川 大智1、小林 憲汰1、渡邊 琉加1、柳川 光樹1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
[25p-21C-5]ScAlMgO4基板上赤色MQW活性層の高品質化に関する検討
〇(B)伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、加藤 悠真1、石本 聖治2、松山 絵美2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4、松中 繁樹4 (1.名城大学、2.E＆Eエボリューション(株)、3.(株)オキサイド、4.芝浦メカトロニクス(株))
[25p-21C-6]全可視光色をカバーする広帯域発光InGaN系マイクロレンズ構造
〇松田 祥伸1、高濱 章年1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)