セッション詳細
[25p-21C-1]Structural and morphological investigation of N-polar InGaN epilayers grown on misoriented ScAlMgO4 substrates
〇(D)Mohammed Ali Najmi1, Pavel Kirilenko1, Daisuke Iida1, Kazuhiro Ohkawa1 (1.King Abdullah Univ. of Science and Technology)
[25p-21C-4]GaInN下地層とその場共振器長制御を有する高効率GaN系VCSELのエピタキシャル成長
〇西川 大智1、小林 憲汰1、渡邊 琉加1、柳川 光樹1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
[25p-21C-5]ScAlMgO4基板上赤色MQW活性層の高品質化に関する検討
〇(B)伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、加藤 悠真1、石本 聖治2、松山 絵美2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4、松中 繁樹4 (1.名城大学、2.E&Eエボリューション(株)、3.(株)オキサイド、4.芝浦メカトロニクス(株))