講演情報
[25p-52A-2]β-(Al0.17Ga0.83)2O3電界効果トランジスタ(MESFET)の電気的特性評価
〇(M1C)森田 燎1、Fenda Florena Fenfen1、Jia Yun1、Traore Aboulaye2,3、奥村 宏典2、櫻井 岳暁2 (1.筑波大院数物、2.筑波大数理、3.J-FAST)
キーワード：
半導体,Ga2O3,Al2O3
β-Ga2O3は8MV/cmの絶縁破壊電界を持つワイドギャップ半導体であり、高出力素子材料として期待されている。β-Ga2O3へAl原子を添加することにより絶縁破壊電界が増加することが報告されており、デバイス耐圧の向上が期待される。現段階でβ-(Al,Ga)2O3チャネル電界効果トランジスタ(MESFET)について報告されているが、直流特性がβ-Ga2O3チャネルMESFETと比較し大幅に劣っている。今回は、不純物濃度の異なるβ-(Al,Ga)2O3層を用いて直流特性の向上を実現できたため、報告する。