セッション詳細
[25p-52A-1]Ga2O3 (010) FinFETs with On-Axis (100) Gate Sidewalls
〇Zhenwei Wang1, Sandeep Kumar1, Takafumi Kamimura1, Hisashi Murakami2, Yoshinao Kumagai2, Masataka Higashiwaki1,3 (1.NICT, 2.Tokyo Univ. of Agriculture and Technology, 3.Osaka Metropolitan Univ.)
[25p-52A-2]β-(Al0.17Ga0.83)2O3電界効果トランジスタ(MESFET)の電気的特性評価
〇(M1C)森田 燎1、Fenda Florena Fenfen1、Jia Yun1、Traore Aboulaye2,3、奥村 宏典2、櫻井 岳暁2 (1.筑波大院数物、2.筑波大数理、3.J-FAST)
[25p-52A-3]1.36 A, 1 kV耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOSトランジスタ
〇宮本 広信1、小石川 結樹1、脇本 大樹1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
[25p-52A-5]ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFETのシート抵抗の面内均一化
〇中道 修平1、本郷 仁啓1、田中 宏幸2、居村 史人1,3、原 史朗1,2,3 (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.(株)Hundred Semiconductors)