講演情報
[25p-52A-3]1.36 A, 1 kV耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOSトランジスタ
〇宮本 広信1、小石川 結樹1、脇本 大樹1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
半導体,ワイドバンドギャップ,トランジスタ
1.36 A, 1 kV耐圧 β-Ga2O3 double-implanted (DI) MOSトランジスタを100 mm β-Ga2O3ウエハ上に作製した。アクティブエリアは1.66 mm × 1.31 mm、セルピッチは30 µm、チャネル長は2 µmである。しきい値電圧は+4.7 V、3端子耐圧は1010 V、ウエハ面内30素子のドレイン電流のmedium値は1.36 Aであった。