講演情報
[25p-52A-4]SiO2との界面付近のβ-Ga2O3 中に酸素欠損が残存する原因の考察
〇片桐 浩生1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
キーワード：
Ga2O3,XPS,界面
SiO2/β-Ga2O3のMOSキャパシタの電気特性には酸素欠損に関わる欠陥構造が強く影響していることが示唆されている。我々は前回の発表で、Ga 3d の酸素欠損に起因すると考えられる低結合エネルギー側のピーク(Ga*)面積割合を酸素欠損の増減の指標として調査した。本研究では、SiO2/Ga2O3試料のアニール過程における界面でのSiO2による影響を考慮した、Ga*の割合の変化を速度論に基づくモデルにより考察した。