2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[25p-61A-1~13]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2024年3月25日(月) 13:00 〜 16:45
61A (6号館)
清水 耕作(日大)、 富樫 理恵(上智大)
13:00 〜 13:15奨励賞エントリー英語発表

[25p-61A-1]Role of Zn Introduction in In2O3 TFTs
−Suppression of Grain Boundary Scattering −

〇(D)Yuzhang Wu1, Yusaku Magari2, Prashant R. Ghediya2, Yuqiao Zhang3, Yasutaka Matsuo2, Hiromichi Ohta2 (1.IST-Hokkaido Univ., 2.RIES-Hokkaido Univ., 3.Jiangsu Univ.)
13:15 〜 13:30奨励賞エントリー英語発表

[25p-61A-2]Investigating the Role of Hydrogen on RF-Sputtered Al-Doped ZnO Thin Films

〇(M2C)MuhammadFaizRHasian Rambey1, Takaya Ogawa1, Hideyuki Okumura1 (1.Kyoto Univ.)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[25p-61A-3]Sbドープルチル型SnO2薄膜のキャリア密度制御と縦型ショットキーバリアダイオードの試作

〇高橋 由依1、高根 倫史1、泉 宏和2、若松 岳1、磯部 優貴1、金子 健太郎3、田中 勝久1 (1.京大、2.兵庫県立工業技術センター、3.立命館大)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[25p-61A-4]元素置換InGaZnO4の構造安定性と電子構造の支配因子

〇鈴木 朝也1、井手 啓介1、片瀬 貴義1、細野 秀雄1、神谷 利夫1 (1.東工大元素)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[25p-61A-5]Fe2O3バッファー層を用いた紫外レーザーアニーリングによるα-Al2O3(0001)基板上Ga2O3薄膜のエピタキシャル固相結晶化

〇甲斐 稜也1、沼田 拓実1、金子 智2,1、吉本 護1、松田 晃史1 (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[25p-61A-6](ScxGa1−x)2O3薄膜の偏光反射分光とバンド端構造の異方性

〇是石 和樹1、尾沼 猛儀2、相馬 拓人1、大友 明1 (1.東工大、2.工学院大)
14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[25p-61A-7]Ni/β-Ga2O3 SBDの障壁高さの温度依存性の精密評価とXPSによるβ-Ga2O3の価電子帯評価

〇棟方 晟啓1、佐々木 公平2、江間 研太郎2、中野 義昭1、小林 正起1、前田 拓也1 (1.東大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[25p-61A-8]減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa2O3薄膜の電気的特性（１）

〇(B)森原 淳1、稲嶌 仁1、WANG Zhenwei2、吉永 純也3,4、佐藤 翔太1、江口 輝生1、熊谷 義直3、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構、3.東京農工大院工、4.大陽日酸)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[25p-61A-9]減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa2O3薄膜の電気的特性（２）

〇(B)稲嶌 仁1、森原 淳1、WANG Zhenwei2、吉永 純也3,4、佐藤 翔太1、江口 輝生1、熊谷 義直3、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構、3.東京農工大院工、4.大陽日酸)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[25p-61A-10]酸素反応性イオンエッチング、窒素ラジカル照射がGa2O3 (010) ショットキーバリアダイオードの温度依存電気的特性に与える影響

〇(M1)佐藤 翔太1、峰山 滉正1、WANG Zhenwei2、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[25p-61A-11](001)面方位HVPEエピ厚膜β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの多結晶欠陥列のエミッション顕微鏡観察

〇(M1)大坪 優斗1、佐々木 公平2、有馬 潤3、藤田 実3、川崎 克己3、倉又 朗人2、嘉数 誠1 (1.佐賀大理工、2.（株）ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK（株）)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[25p-61A-12]Geドープα-Ga2O3薄膜を用いたMESFET

〇若松 岳1、磯部 優貴1、高根 倫史1、金子 健太郎2、田中 勝久1 (1.京大院工、2.立命館大総研)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[25p-61A-13]波長変換デバイスに向けたメサ型Ga2O3/空気DBR構造の作製

〇佐藤 秀哉1、門馬 智亮1、相川 健喜1、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研)
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