[25p-61A-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[25p-61A-4] 元素置換InGaZnO₄の構造安定性と電子構造の支配因子

〇鈴木 朝也¹、井手 啓介¹、片瀬 貴義¹、細野 秀雄¹、神谷 利夫¹ (1.東工大元素)

キーワード：

IGZO,第一原理計算,薄膜トランジスタ

第一原理計算を用いてIn-Ga-Zn-O (IGZO) 系酸化物のキャリア輸送特性と構造安定性を幅広い組成で解析することで、薄膜トランジスタ用高移動度酸化物半導体の開発指針の構築を目指した。データ分析等を利用することで、イオン半径や原子軌道の観点から、IGZO系半導体におけるこれらの特性の一般的傾向を明らかにした。