講演情報
[25p-61A-7]Ni/β-Ga2O3 SBDの障壁高さの温度依存性の精密評価とXPSによるβ-Ga2O3の価電子帯評価
〇棟方 晟啓1、佐々木 公平2、江間 研太郎2、中野 義昭1、小林 正起1、前田 拓也1 (1.東大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
酸化ガリウム,ショットキー,障壁高さ
Ni/β-Ga2O3 SBDに対して内部光電子放出(IPE)測定を行うことで障壁高さの温度依存性を精密評価した。IPEから求められた障壁高さは温度に対して減少傾向を示した。今回得られた結果は、これまで報告してきたI-V, C-V測定から求められた障壁高さの温度係数と概ね一致し、一貫した結果が得られた。また、X線光電子分光法(XPS)によって価電子帯構造を評価した。