[25p-61B-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

14:15 〜 14:30

[25p-61B-5] テトラメチルシランプラズマを用いた膜堆積過程の赤外分光解析

桒田 篤哉¹、大石 侑叶¹、東田 遼平²、〇篠原 正典² (1.福岡大院工、2.福岡大工)

キーワード：

Si含有アモルファス炭素膜,多重内部反射赤外吸収分光法,Si-H結合

Si含有DLC膜は、耐熱性、基材との密着性が優れるなど、優れた性質をもつ膜として期待されている。そこで本研究では、テトラメチルシプラズマ中での成膜過程を赤外分光法で調べた。成膜が進んでからSiH_Xのピークが表れることが確認できた。Si-Hの存在により炭素同士の結合で広がる構造が切断されると考えられ、この効果により内部応力の減少、膜の密着性の向上が生じると考えられる。