講演情報
[8p-N221-13]GaN系PCSELの電流注入分布の制御に関する検討
〇十鳥 雅弘1、北村 篤史1、小泉 朋朗2,1、江本 渓2,1、De Zoysa Menaka1、増山 知輝2,1、井上 卓也1、石崎 賢司1、吉田 昌宏1、勝野 峻平3、野田 進1,3 (1.京大院工、2.スタンレー電気、3.京大高等研究院)
キーワード：
フォトニック結晶レーザー、青色半導体レーザー
我々はGaN系半導体を用いた青色PCSELについて開発を進めており，最近では，重心間距離の制御によって共振器のさらなる大面積化(≧1mmΦ)に向けた検討を進めてきた．しかし，大面積化に伴い．周辺部のn側窓電極から中心部への電流注入が相対的に減少するため，不要なモードでの発振が生じる可能性が懸念される．そこで，我々の研究グループでこれまでにGaAs系で検討して来た，電極の工夫による電流分制御手法をGaN系PCSELに展開し，その一例としてガウス型電流注入分布を導入した場合の初期的な検討を行ったのでその結果を報告する．