シンポジウム(口頭講演)(9:30 〜 12:00)
[10a-N103-1~6]
不規則・不均質材料の力学における材料横断的融合とその最前線
加藤 和明(京都工繊大)
シンポジウム：不規則・不均質材料の力学における材料横断的融合とその最前線
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 16:45)
[10p-N103-1~6]
不規則・不均質材料の力学における材料横断的融合とその最前線
篠崎 健二(産総研)
シンポジウム：不規則・不均質材料の力学における材料横断的融合とその最前線
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[10a-N104-1~9]
3.3 生体・医用光学
矢野 隆章(徳島大)、 安藤 潤(理研)
3 光・フォトニクス：3.3 生体・医用光学
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)
[10p-N104-1~10]
3.3 生体・医用光学
小関 泰之(東大)、 南川 丈夫(阪大)
3 光・フォトニクス：3.3 生体・医用光学
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[10a-N105-1~9]
21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
太田 優一(富山県立大)
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:30)
[10p-N105-1~13]
21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー)、 上田 修(明治大)
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N106-1~10]
FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
丸亀 孝生(北大)、 吉川 宜史(Rapidus)
先端半導体AIに関する招待講演1件、リザバーコンピューティング、物理リザバー、センサAI融合、センサ内AI、新原理コンピューティング技術：材料/デバイス
FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」：FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)
[10p-N106-1~9]
FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
橋本 俊和(NTT)、 大平 和哉(東芝)
第23回有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 奨励賞受賞記念講演１件、リザバーコンピューティング、物理リザバー、センサAI融合、センサ内AI
FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」：FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[10a-N107-1~8]
2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
松林 錦(京大)、 中村 吏一朗(理研)
本セッションでは、シンチレータや半導体検出器といった検出素子に関する基礎研究から、廃炉作業、宇宙開発、環境放射線モニタリングなど、様々な分野への応用に至るまで、放射線関連分野における先進的かつ実践的な研究に関する発表が行われる。また月環境放射線モニターの検出器開発に関する注目講演も行われる予定である。
2 放射線：2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:00)
[10p-N107-1~9]
2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
黒澤 俊介(東北大)、 北山 佳治(原子力機構)
本セッションでは、シンチレータや半導体検出器といった検出素子に関する基礎研究から、廃炉作業、宇宙開発、環境放射線モニタリングなど、様々な分野への応用に至るまで、放射線関連分野における先進的かつ実践的な研究に関する発表が行われる。
2 放射線：2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N201-1~11]
9.4 熱電変換
竹内 恒博(豊田工大)、 永岡 章(宮崎大)
9 応用物性：9.4 熱電変換
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:30)
[10p-N201-1~7]
9.4 熱電変換
中村 芳明(阪大)、 石部 貴史(阪大)
9 応用物性：9.4 熱電変換
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-N202-1~8]
3.9 光量子物理・技術
松田 信幸(東北大)
リザバーコンピューティング、量子LiDAR、量子もつれ光源、スクイーズド光源
3 光・フォトニクス：3.9 光量子物理・技術
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 15:15)
[10p-N202-1~9]
3.9 光量子物理・技術
遠藤 護(東大)、 松田 信幸(東北大)
量子計測、量子メモリ、量子ウォーク、量子テレポーテーション、クラスタ状態生成
3 光・フォトニクス：3.9 光量子物理・技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N203-1~9]
4.6 Terahertz Photonics
紀和 利彦(岡山大)
4 JSAP-Optica Joint Symposia 2025：4.6 Terahertz Photonics
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[10p-N203-1~10]
4.6 Terahertz Photonics
大野 誠吾(東北大)、 村手 宏輔(名大)
4 JSAP-Optica Joint Symposia 2025：4.6 Terahertz Photonics
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)
[10p-N204-1~10]
3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
坂野 斎(山梨大)、 三宮 俊(リコー)
3 光・フォトニクス：3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[10a-N204-1~10]
9.3 ナノエレクトロニクス
山端 元音(NTT)、 今井 茂(立命館大)
9 応用物性：9.3 ナノエレクトロニクス
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[10a-N205-1~9]
CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション
岩崎 孝之(東工大)、 森下 弘樹(東北大)
CS コードシェアセッション：【CS.8】6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:15)
[10p-N205-1~6]
CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション
早瀬 潤子(慶大)
CS コードシェアセッション：【CS.8】6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[10a-N206-1~10]
6.3 酸化物エレクトロニクス
吉松 公平(科学大)
磁性、磁気抵抗効果、輸送現象他
6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N206-1~13]
6.3 酸化物エレクトロニクス
島 久(産総研)、 菅原 徹(京⼯繊⼤)
イオン伝導、光触媒、ガスセンサ他
6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 12:15)
[10a-N221-1~10]
3.10 フォトニック構造・現象
浅野 卓(京大)、 滝口 雅人(NTT)
3 光・フォトニクス：3.10 フォトニック構造・現象
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)
[10p-N221-1~10]
3.10 フォトニック構造・現象
井上 卓也(京大)、 森竹 勇斗(東工大)
3 光・フォトニクス：3.10 フォトニック構造・現象
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N301-1~11]
15.4 III-V族窒化物結晶
小島 一信(阪大)、 市川 修平(阪大)
15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N301-1~13]
15.4 III-V族窒化物結晶
小林 篤(東理大)、 谷川 智之(阪大)
15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N302-1~11]
13.5 デバイス／配線／集積化技術
米田 淳(東大)
13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[10p-N302-1~11]
13.5 デバイス／配線／集積化技術
多田 宗弘(慶応大)
13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N303-1~11]
10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
永沼 博(東北大)、 植本 光治(神戸大)
10 スピントロニクス・マグネティクス：10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:00)
[10p-N303-1~9]
10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
福島 鉄也(産総研)、 名和 憲嗣(産総研)
10 スピントロニクス・マグネティクス：10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 11:45)
[10a-N304-1~7]
16.3 シリコン系太陽電池
山田 繁(岐大)
16 非晶質・微結晶：16.3 シリコン系太陽電池
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:15)
[10p-N304-1~7]
16.3 シリコン系太陽電池
加藤 慎也(名工大)
16 非晶質・微結晶：16.3 シリコン系太陽電池
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:45)
[10p-N305-1~12]
12.7 医用工学・バイオチップ
宮本 浩一郎(東北大)、 高橋 陸(NTT)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.7 医用工学・バイオチップ
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N305-1~11]
CS.11 12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェアセッション
三宅 丈雄(早大)、 檜森 匠吾(NTT)
CS コードシェアセッション：【CS.11】12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェアセッション
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N321-1~12]
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
岡田 大地(京都工繊大)、 久野 恭平(東京科学大)
光機能デバイス、液晶デバイス、電子機能デバイス電子・光機能材料
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.3 機能材料・萌芽的デバイス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N321-1~13]
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
増原 陽人(山形大)、 松井 淳(山形大)
イオニクス材料・デバイス、電子機能デバイス、導電性高分子
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.3 機能材料・萌芽的デバイス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N322-1~13]
15.6 IV族系化合物（SiC）
江藤 数馬(産総研)
15 結晶工学：15.6 IV族系化合物（SiC）
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N323-1~11]
8.1 プラズマ生成・診断
鈴木 陽香(名大)
8 プラズマエレクトロニクス：8.1 プラズマ生成・診断
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N323-1~13]
8.1 プラズマ生成・診断
白井 直機(北大)
8 プラズマエレクトロニクス：8.1 プラズマ生成・診断
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:45)
[10p-N324-1~12]
8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
竹田 圭吾(名城大)、 佐々木 俊行(キオクシア)
8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N324-1~11]
8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野
東 直樹(北大)
8 プラズマエレクトロニクス：8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[10a-N401-1~9]
13.3 絶縁膜技術
三谷 祐一郎(都市大)
SiO2, High-k ゲート絶縁膜
13 半導体：13.3 絶縁膜技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:15)
[10p-N401-1~7]
13.3 絶縁膜技術
田岡 紀之(愛工大)
Ge基板上ゲート絶縁膜
13 半導体：13.3 絶縁膜技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N402-1~11]
15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
原田 幸弘(神戸大)、 權 晋寛(東大)
15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[10p-N402-1~11]
15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
山根 啓輔(豊橋技科大)、 西永 慈郎(産総研)
15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
一般セッション(口頭講演)(9:15 〜 12:00)
[10a-N403-1~10]
7.1 X線技術
米山 明男(九州シンクロトロン光研究センター )、 石野 雅彦(量研機構)
7 ビーム応用：7.1 X線技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[10p-N403-1~11]
7.3 微細パターン・微細構造形成技術
山本 治朗(日立)、 谷口 淳(東理大)
7 ビーム応用：7.3 微細パターン・微細構造形成技術
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:45)
[10a-N404-1~8]
11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
末吉 哲郎(九州産業大)、 伊豫 彰(産総研)
11 超伝導：11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:45)
[10a-N405-1~8]
11.5 接合，回路作製プロセスおよびディジタル応用
山梨 裕希(横国大)、 竹内 尚輝(神戸大)
11 超伝導：11.5 接合，回路作製プロセスおよびディジタル応用
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 15:30)
[10p-N406-1~10]
1.5 計測技術・計測標準
寺崎 正(産総研)、 天野 みなみ(産総研)
1 応用物理学一般：1.5 計測技術・計測標準
シンポジウム(口頭講演)(13:00 〜 17:00)
[10p-S101-1~6]
インフォマティクス応用の未来を切り拓く ー 世界動向、分野間連携、そして新たな挑戦 ー
沓掛 健太朗(名大)、 知京 豊裕(物材機構)、 小嗣 真人(東理大)
シンポジウム：インフォマティクス応用の未来を切り拓く ー 世界動向、分野間連携、そして新たな挑戦 ー
チュートリアル(10:00 〜 12:00)
[10a-S101-1~1]
インフォマティクス応用入門Ⅱ 体験編
座長：高原渉(日立製作所/奈良先端科学技術大学)
チュートリアル：インフォマティクス応用入門Ⅱ 体験編
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[10a-S102-1~9]
17.3 層状物質
山本 真人(関大)
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)半導体のデバイス応用。ドーピング制御、コンタクト抵抗低減、負性微分抵抗素子。
17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 15:30)
[10p-S102-1~9]
17.3 層状物質
川那子 高暢(産総研)
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)半導体のデバイス応用。ゲート特性の向上、低抵抗電極、ガスセンシング特性、発光デバイス。
17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[10a-S103-1~9]
17.2 グラフェン
生野 孝(東理大)
プロセス技術、ドーピング技術、センサー応用、その他応用技術
17 ナノカーボン・二次元材料：17.2 グラフェン
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[10a-S201-1~10]
12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
加藤 慎也(名工大)、 河野 悠(立命館大)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:15)
[10p-S201-1~12]
12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
石川 亮佑(都市大)、 柴山 直之(桐蔭横浜大)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P01-1~35]
3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
3 光・フォトニクス：3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P02-1~13]
12.2 評価・基礎物性
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.2 評価・基礎物性
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P03-1~22]
12.4 有機EL・トランジスタ
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.4 有機EL・トランジスタ
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P04-1~22]
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P05-1~16]
15.4 III-V族窒化物結晶
15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶