シンポジウム(口頭講演)(9:30 〜 12:00)
[10a-N103-1~6]
不規則・不均質材料の力学における材料横断的融合とその最前線
シンポジウム：不規則・不均質材料の力学における材料横断的融合とその最前線
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 16:45)
[10p-N103-1~6]
不規則・不均質材料の力学における材料横断的融合とその最前線
シンポジウム：不規則・不均質材料の力学における材料横断的融合とその最前線
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[10a-N104-1~9]
3.3 生体・医用光学
3 光・フォトニクス：3.3 生体・医用光学
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)
[10p-N104-1~10]
3.3 生体・医用光学
3 光・フォトニクス：3.3 生体・医用光学
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[10a-N105-1~9]
21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:30)
[10p-N105-1~13]
21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N106-1~10]
FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」：FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)
[10p-N106-1~9]
FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」：FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[10a-N107-1~8]
2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
2 放射線：2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:00)
[10p-N107-1~9]
2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
2 放射線：2.2 発生装置・検出器開発・計測技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N201-1~11]
9.4 熱電変換
9 応用物性：9.4 熱電変換
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:30)
[10p-N201-1~7]
9.4 熱電変換
9 応用物性：9.4 熱電変換
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-N202-1~8]
3.9 光量子物理・技術
3 光・フォトニクス：3.9 光量子物理・技術
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 15:15)
[10p-N202-1~9]
3.9 光量子物理・技術
3 光・フォトニクス：3.9 光量子物理・技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N203-1~9]
4.6 Terahertz Photonics
4 JSAP-Optica Joint Symposia 2025：4.6 Terahertz Photonics
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[10p-N203-1~10]
4.6 Terahertz Photonics
4 JSAP-Optica Joint Symposia 2025：4.6 Terahertz Photonics
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)
[10p-N204-1~10]
3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
3 光・フォトニクス：3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[10a-N204-1~10]
9.3 ナノエレクトロニクス
9 応用物性：9.3 ナノエレクトロニクス
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[10a-N205-1~9]
CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション
CS コードシェアセッション：【CS.8】6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:15)
[10p-N205-1~6]
CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション
CS コードシェアセッション：【CS.8】6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[10a-N206-1~10]
6.3 酸化物エレクトロニクス
6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N206-1~13]
6.3 酸化物エレクトロニクス
6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 12:15)
[10a-N221-1~10]
3.10 フォトニック構造・現象
3 光・フォトニクス：3.10 フォトニック構造・現象
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)
[10p-N221-1~10]
3.10 フォトニック構造・現象
3 光・フォトニクス：3.10 フォトニック構造・現象
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N301-1~11]
15.4 III-V族窒化物結晶
15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N301-1~13]
15.4 III-V族窒化物結晶
15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N302-1~11]
13.5 デバイス／配線／集積化技術
13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[10p-N302-1~11]
13.5 デバイス／配線／集積化技術
13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N303-1~11]
10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
10 スピントロニクス・マグネティクス：10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:00)
[10p-N303-1~9]
10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
10 スピントロニクス・マグネティクス：10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 11:45)
[10a-N304-1~7]
16.3 シリコン系太陽電池
16 非晶質・微結晶：16.3 シリコン系太陽電池
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:15)
[10p-N304-1~7]
16.3 シリコン系太陽電池
16 非晶質・微結晶：16.3 シリコン系太陽電池
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:45)
[10p-N305-1~12]
12.7 医用工学・バイオチップ
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.7 医用工学・バイオチップ
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N305-1~11]
CS.11 12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェアセッション
CS コードシェアセッション：【CS.11】12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェアセッション
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N321-1~12]
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.3 機能材料・萌芽的デバイス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N321-1~13]
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.3 機能材料・萌芽的デバイス
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N322-1~13]
15.6 IV族系化合物（SiC）
15 結晶工学：15.6 IV族系化合物（SiC）
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N323-1~11]
8.1 プラズマ生成・診断
8 プラズマエレクトロニクス：8.1 プラズマ生成・診断
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:00)
[10p-N323-1~13]
8.1 プラズマ生成・診断
8 プラズマエレクトロニクス：8.1 プラズマ生成・診断
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:45)
[10p-N324-1~12]
8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N324-1~11]
8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野
8 プラズマエレクトロニクス：8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[10a-N401-1~9]
13.3 絶縁膜技術
13 半導体：13.3 絶縁膜技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:15)
[10p-N401-1~7]
13.3 絶縁膜技術
13 半導体：13.3 絶縁膜技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[10a-N402-1~11]
15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[10p-N402-1~11]
15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
一般セッション(口頭講演)(9:15 〜 12:00)
[10a-N403-1~10]
7.1 X線技術
7 ビーム応用：7.1 X線技術
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[10p-N403-1~11]
7.3 微細パターン・微細構造形成技術
7 ビーム応用：7.3 微細パターン・微細構造形成技術
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:45)
[10a-N404-1~8]
11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
11 超伝導：11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:45)
[10a-N405-1~8]
11.5 接合，回路作製プロセスおよびディジタル応用
11 超伝導：11.5 接合，回路作製プロセスおよびディジタル応用
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 15:30)
[10p-N406-1~10]
1.5 計測技術・計測標準
1 応用物理学一般：1.5 計測技術・計測標準
シンポジウム(口頭講演)(13:00 〜 17:00)
[10p-S101-1~6]
インフォマティクス応用の未来を切り拓く ー 世界動向、分野間連携、そして新たな挑戦 ー
シンポジウム：インフォマティクス応用の未来を切り拓く ー 世界動向、分野間連携、そして新たな挑戦 ー
チュートリアル(10:00 〜 12:00)
[10a-S101-1~1]
インフォマティクス応用入門Ⅱ 体験編
座長：高原渉(日立製作所/奈良先端科学技術大学)
チュートリアル：インフォマティクス応用入門Ⅱ 体験編
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[10a-S102-1~9]
17.3 層状物質
17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 15:30)
[10p-S102-1~9]
17.3 層状物質
17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[10a-S103-1~9]
17.2 グラフェン
17 ナノカーボン・二次元材料：17.2 グラフェン
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[10a-S201-1~10]
12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:15)
[10p-S201-1~12]
12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P01-1~35]
3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
3 光・フォトニクス：3.11 ナノ領域光科学･近接場光学
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P02-1~13]
12.2 評価・基礎物性
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.2 評価・基礎物性
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P03-1~22]
12.4 有機EL・トランジスタ
12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.4 有機EL・トランジスタ
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P04-1~22]
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[10a-P05-1~16]
15.4 III-V族窒化物結晶
15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶