N101 (共通講義棟北)
N102 (共通講義棟北)
N103 (共通講義棟北)
N104 (共通講義棟北)
N105 (共通講義棟北)
N106 (共通講義棟北)
N107 (共通講義棟北)
N201 (共通講義棟北)
N202 (共通講義棟北)
N203 (共通講義棟北)
N204 (共通講義棟北)
N205 (共通講義棟北)
N206 (共通講義棟北)
N221 (共通講義棟北)
N301 (共通講義棟北)
N302 (共通講義棟北)
N303 (共通講義棟北)
N304 (共通講義棟北)
N305 (共通講義棟北)
N306 (共通講義棟北)
N307 (共通講義棟北)
N321 (共通講義棟北)
N322 (共通講義棟北)
N323 (共通講義棟北)
N324 (共通講義棟北)
N401 (共通講義棟北)
N402 (共通講義棟北)
N403 (共通講義棟北)
N404 (共通講義棟北)
N405 (共通講義棟北)
N406 (共通講義棟北)
S101 (共通講義棟南)
S102 (共通講義棟南)
S103 (共通講義棟南)
S201 (共通講義棟南)
S202 (共通講義棟南)
S203 (共通講義棟南)
S301 (共通講義棟南)
S302 (共通講義棟南)
P01 (体育館)
P02 (体育館)
P03 (体育館)
P04 (体育館)
P05 (体育館)
P06 (体育館)
P07 (体育館)
P08 (体育館)
P09 (体育館)
P10 (体育館)
P11 (体育館)
P12 (体育館)
9:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:30)
[8p-N103-1~10]

光と熱の融合が拓く機能制御の最前線

小島 一信(阪大)、 野村 政宏(東大)、 山田 泰裕(千葉大)
シンポジウム:光と熱の融合が拓く機能制御の最前線
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:05)
[8p-N104-1~9]

フォトニクスが拓く水の科学

辻野 賢治(東京女子医大)、 中川 桂一(東大)
シンポジウム:フォトニクスが拓く水の科学
ランチョンセミナー(12:10 〜 12:50)
[8p-N105-LS1~LS1]

(株)ライトストーン

ランチョンセミナー:(株)ライトストーン
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[8a-N106-1~8]

3.4 レーザー装置・材料

戸倉川 正樹(電通大)
3 光・フォトニクス:3.4 レーザー装置・材料
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)
[8p-N106-1~11]

3.4 レーザー装置・材料

北島 将太朗(名大)、 野邑 寿仁亜(日大)
3 光・フォトニクス:3.4 レーザー装置・材料
一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 12:00)
[8a-N107-1~7]

2.1 放射線物理・材料開発・材料特性評価

富田 英生(名大)
本セッションでは、放射線に関連する材料の物性評価や応答特性、シンチレーターの開発など、多様な研究成果が発表される。無機ガラスや結晶材料など、幅広い材料系が扱われており、基礎物性から応用を見据えた検討まで、多角的な議論が期待される。さらに、放射線分科会の招待講演として、原子核時計実現を目指したレーザー分光実験に関する最新の研究報告も予定されている。
2 放射線:2.1 放射線物理・材料開発・材料特性評価
チュートリアル(13:30 〜 16:00)
[8p-N107-1~2]

講義1)光を捉え、増幅する:(1)光電子増倍管の原理とその応用、講義2)光を捉え、増幅する:(2)MPPC, Si-APD, SPADの原理と新たな可能性

座長:有元 誠(金沢大)
チュートリアル:講義1)光を捉え、増幅する:(1)光電子増倍管の原理とその応用、講義2)光を捉え、増幅する:(2)MPPC, Si-APD, SPADの原理と新たな可能性
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[8a-N201-1~10]

6.1 強誘電体薄膜

平永 良臣(東北大)
6 薄膜・表面:6.1 強誘電体薄膜
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:15)
[8p-N201-1~14]

9.5 新機能材料・新物性

荻野 拓(産総研)、 河底 秀幸(都立大)、 笹川 崇男(科学大)
9 応用物性:9.5 新機能材料・新物性
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:45)
[8a-N202-1~8]

15.1 バルク結晶成長

横田 有為(東北大)、 村上 力輝斗(東北大)
15 結晶工学:15.1 バルク結晶成長
ランチョンセミナー(12:15 〜 12:55)
[8p-N202-LS1~LS1]

キヤノンアネルバ(株)

ランチョンセミナー:キヤノンアネルバ(株)
一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 12:00)
[8a-N203-1~6]

4.1 Plasmonics and Nanophotonics

Smith Nicholas(阪大)
4 JSAP-Optica Joint Symposia 2025:4.1 Plasmonics and Nanophotonics
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:30)
[8p-N204-1~18]

3.11 ナノ領域光科学・近接場光学

岡本 晃一(阪公大)、 岩長 祐伸(物材機構)、 上野 貢生(北大)
3 光・フォトニクス:3.11 ナノ領域光科学・近接場光学
一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 11:15)
[8a-N204-1~5]

CS.6 4.5 Nanocarbon and 2D Materials、17 ナノカーボン・二次元材料のコードシェアセッション

松田 一成(京大)、 宮内 雄平(京大)
(英語セッション)[JSAP-Optica Joint Symposia] Optical and transport properties, growth and sythesis, photonics and electronics of carbon nanotubes, graphene, and 2D materials
CS コードシェアセッション:【CS.6】4.5 Nanocarbon and 2D Materials、17 ナノカーボン・二次元材料のコードシェアセッション
ランチョンセミナー(12:15 〜 12:55)
[8p-N204-LS1~LS1]

ローム(株)

ランチョンセミナー:ローム(株)
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:45)
[8p-N206-1~15]

3.12 半導体光デバイス

太田 泰友(慶大)、 丸山 武男(金沢大)、 石川 靖彦(豊橋技科大)
VCSELやモードロックレーザ・シリコンフォトニクスを含む半導体レーザ、光通信向けフォトダイオード、太陽電池・光無線給電、ニオブ酸リチウムを用いた光導波路デバイスに関する大学、研究所、企業からの15件の講演が行われます。
3 光・フォトニクス:3.12 半導体光デバイス
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:15)
[8a-N206-1~12]

6.6 プローブ顕微鏡

杉本 宜昭(東大)、 大塚 洋一(阪大)
6 薄膜・表面:6.6 プローブ顕微鏡
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:15)
[8a-N221-1~12]

3.6 レーザープロセシング

小澤 祐市(東北大)、 細川 陽一郎(奈良先端大)
3 光・フォトニクス:3.6 レーザープロセシング
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:15)
[8p-N221-1~13]

3.10 フォトニック構造・現象

角倉 久史(NTT)、 高橋 和(岡山大)、 北村 恭子(東北大)
3 光・フォトニクス:3.10 フォトニック構造・現象
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[8a-N301-1~11]

15.4 III-V族窒化物結晶

齋藤 義樹(豊田合成)、 久志本 真希(名大)
15 結晶工学:15.4 III-V族窒化物結晶
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:45)
[8p-N301-1~19]

15.4 III-V族窒化物結晶

田中 敦之(名大)、 飯田 一喜(名大)、 松田 祥伸(京大)
15 結晶工学:15.4 III-V族窒化物結晶
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[8a-N302-1~11]

17.3 層状物質

桐谷 乃輔(東大)
成長および構造観察評価・デバイス要素技術・反応誘起デバイス
17 ナノカーボン・二次元材料:17.3 層状物質
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:45)
[8p-N302-1~20]

17.3 層状物質

岡田 晋(筑波大)、 岩﨑 拓哉(NIMS)
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の基礎物性。トポロジカル物性、原子層転写・積層技術、電子物性、光物性、ドーピング技術。
17 ナノカーボン・二次元材料:17.3 層状物質
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:45)
[8p-N303-1~16]

10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

安藤 裕一郎(阪公大)、 田中 雅章(名工大)
10 スピントロニクス・マグネティクス:10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:15)
[8a-N303-1~8]

10.5 磁場応用

久住 亮介(森林総研)、 伊掛 浩輝(日大)
10 スピントロニクス・マグネティクス:10.5 磁場応用
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[8a-N304-1~10]

10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)

磯上 慎二(物材機構)、 林 兼輔(名大)
10 スピントロニクス・マグネティクス:10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:00)
[8p-N304-1~9]

10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)

田辺 賢士(豊田工大)、 増田 啓介(物材機構)
10 スピントロニクス・マグネティクス:10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:30)
[8p-N305-1~18]

12.7 医用工学・バイオチップ

坂田 利弥(東大)、 笹川 清隆(奈良先端大)、 郭 媛元(東北大)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス:12.7 医用工学・バイオチップ
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[8a-N306-1~11]

12.2 評価・基礎物性

金子 哲(東工大)、 小本 祐貴(阪大)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス:12.2 評価・基礎物性
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 19:00)
[8p-N306-1~20]

12.2 評価・基礎物性

深川 弘彦(千葉大)、 早川 竜馬(物材機構)、 中澤 遼太郎(分子研)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス:12.2 評価・基礎物性
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)
[8a-N307-1~9]

12.1 作製・構造制御

硯里 善幸(山形大)、 横倉 聖也(北大)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス:12.1 作製・構造制御
一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 17:30)
[8p-N307-1~15]

12.1 作製・構造制御

松原 亮介(静大)、 丸山 伸伍(東北大)、 廣芝 伸哉(阪工大)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス:12.1 作製・構造制御
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 12:00)
[8a-N321-1~9]

6.2 カーボン系薄膜

青野 祐美(鹿児島大)、 金杉 和弥(電機大)
非晶質カーボン,B-C-N系薄膜,薄膜堆積,評価
6 薄膜・表面:6.2 カーボン系薄膜
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:45)
[8p-N321-1~19]

6.2 カーボン系薄膜

大曲 新矢(産総研)、 片宗 優貴(九工大)
ダイヤモンド,結晶成長,評価,ドーピング,デバイス
6 薄膜・表面:6.2 カーボン系薄膜
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:15)
[8a-N323-1~13]

KS4 量子エネルギー変換研究会

藤本 裕(東北大)
KS 研究会セッション:KS4 量子エネルギー変換研究会
一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 12:30)
[8a-N401-1~12]

15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

横川 凌(広島大)
15 結晶工学:15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
一般セッション(口頭講演)(14:00 〜 17:00)
[8p-N401-1~12]

15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

前田 辰郎(産総研)
15 結晶工学:15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:15)
[8a-N402-1~12]

3.7 光計測技術・機器

大久保 章(産総研)、 浅原 彰文(電通大)
3 光・フォトニクス:3.7 光計測技術・機器
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:45)
[8p-N403-1~15]

CS.1 2.3 加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析、7.4イオンビーム一般のコードシェアセッション

盛谷 浩右(兵庫県立大)、 笹 公和(筑波大)、 山形 武靖(東大)
加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析(2.3)とイオンビーム一般(7.4)の関連分野の研究を横断的に扱う合同セッションである。第58回講演奨励賞受賞記念講演を含む15講演が予定されており、イオンビームや加速器質量分析の研究開発および応用に関する最新成果が報告される予定である。
CS コードシェアセッション:【CS.1】2.3 加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析、7.4イオンビーム一般のコードシェアセッション
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[8a-N404-1~11]

11.1 基礎物性

山本 秀樹(NTT)、 元木 貴則(青学大)
11 超伝導:11.1 基礎物性
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:00)
[8p-N404-1~16]

11.1 基礎物性

長尾 雅則(山梨大)、 荻野 拓(産総研)、 足立 匡(上智大)
11 超伝導:11.1 基礎物性
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)
[8a-N405-1~11]

3.5 超高速・高強度レーザー

吉井 一倫(龍谷大)、 佐藤 健(東大)
3 光・フォトニクス:3.5 超高速・高強度レーザー
一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:30)
[8p-N405-1~18]

3.5 超高速・高強度レーザー

植本 光治(神戸大)、 嵐田 雄介(筑波大)、 福田 拓未(沖縄科技大)
3 光・フォトニクス:3.5 超高速・高強度レーザー
一般セッション(口頭講演)(10:45 〜 11:30)
[8a-N406-1~3]

1.1 応用物理一般・学際領域

藤川 知栄美(東海大)
1 応用物理学一般:1.1 応用物理一般・学際領域
一般セッション(口頭講演)(16:00 〜 17:15)
[8p-N406-1~5]

1.2 教育

栗原 一嘉(福井大)
1 応用物理学一般:1.2 教育
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:30)
[8p-S101-1~12]

【一般公開】Z世代に繋ぎたい宇宙x半導体の未来ビジョン ~ 創造を生むネットワーキングを応物から

和泉 真(シャープ)、 北村 圭司(島津製作所)
民営化が進み急拡大する宇宙エレクトロニクス市場に向けて、産官学金が連携して次世代に何を残していけるのか?本セッションでは将来の宇宙ビジネスに向けて熱い思いをもっているさまざまな分野のプレイヤを招き、パネルディスカッションを通じて宇宙ビジネスの最前線、応用物理の役割について議論する。
シンポジウム:【一般公開】Z世代に繋ぎたい宇宙x半導体の未来ビジョン ~ 創造を生むネットワーキングを応物から
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 18:25)
[8p-S202-1~8]

Lab to Fab:研究開発と量産を最速でつなぐ半導体DX

青野 真士(Amoeba Energy)、 中川 真一(SCREEN)
日本の半導体競争力を高める鍵は, 研究開発と量産の間に立ちはだかる壁を大胆に打ち破り、そのリードタイムを劇的に短縮することにあります。 本シンポジウムでは、最先端の量産ファブで基礎研究レベルの試行錯誤を自在に展開できる未来を見据え、AI、数理最適化、量子技術など、イノベーションを加速するデジタル技術の最前線を議論します。その先に広がるのは, モノづくりが極限までグリーン化された持続可能な未来です。
シンポジウム:Lab to Fab:研究開発と量産を最速でつなぐ半導体DX
一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)
[8a-S202-1~10]

12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

笹部 久宏(山形大)、 稲元 伸(東レ)
12 有機分子・バイオエレクトロニクス:12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 18:15)
[8p-S203-1~11]

ナノバイオテクノロジー分野における実験と分子シミュレーションのインタープレイ

住友 弘二(兵庫県立大)、 手老 龍吾(豊橋技科大)、 望月 祐志(立教大)
本シンポジウムでは、分子エレクトロニクスを含むナノバイオテクノロジー関連分野で実験と分子シミュレーションについて最前線で研究を進める研究者による招待講演を主軸とし、実験と計算のインタープレイの現状を概観し、併せて今後の発展の方向性について展望する機会とします。
シンポジウム:ナノバイオテクノロジー分野における実験と分子シミュレーションのインタープレイ
シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:10)
[8p-S301-1~7]

表面・界面の反応/成長制御による高機能性材料の創製

秋山 亨(三重大)、 牧原 克典(名大)
IV族系材料における表⾯・界⾯に焦点を絞り、その制御技術・物理について、デバイス分野および材料分野の研究者や学⽣が会して議論、情報交換する。
シンポジウム:表面・界面の反応/成長制御による高機能性材料の創製
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[8a-P01-1~8]

3.1 光学基礎・光学新領域

3 光・フォトニクス:3.1 光学基礎・光学新領域
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[8a-P02-1~16]

3.8 テラヘルツ全般

3 光・フォトニクス:3.8 テラヘルツ全般
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[8p-P02-1~15]

6.6 プローブ顕微鏡

6 薄膜・表面:6.6 プローブ顕微鏡
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[8p-P03-1~4]

13.3 絶縁膜技術

13 半導体:13.3 絶縁膜技術
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[8a-P05-1~21]

6.4 薄膜新材料

6 薄膜・表面:6.4 薄膜新材料
一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)
[8p-P05-1~14]

13.9 化合物太陽電池

13 半導体:13.9 化合物太陽電池
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[8a-P06-1~10]

12.6 ナノバイオテクノロジー

12 有機分子・バイオエレクトロニクス:12.6 ナノバイオテクノロジー
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[8p-P07-1~6]

4.3 Laser sources and Laser applications

4 JSAP-Optica Joint Symposia 2025:4.3 Laser sources and Laser applications
一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)
[8a-P07-1~16]

12.7 医用工学・バイオチップ

12 有機分子・バイオエレクトロニクス:12.7 医用工学・バイオチップ
一般セッション(ポスター講演)(16:00 〜 18:00)
[8p-P09-1~6]

6.1 強誘電体薄膜

6 薄膜・表面:6.1 強誘電体薄膜