タイムテーブル 2025年9月9日(火) | 2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:25)

[9p-N101-1~10]

【一般公開】先端ロジック半導体とその周辺技術

シンポジウム：【一般公開】先端ロジック半導体とその周辺技術

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:45)

[9p-N102-1~8]

構造が誘起するスピントロニクス新物理現象

シンポジウム：構造が誘起するスピントロニクス新物理現象

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)

[9a-N102-1~10]

CS.4 3.8 テラヘルツ全般、3.11 ナノ領域光科学･近接場光学のコードシェアセッション

CS コードシェアセッション：【CS.4】3.8 テラヘルツ全般、3.11 ナノ領域光科学･近接場光学のコードシェアセッション

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:50)

[9p-N103-1~12]

軟Ｘ線多層膜が拓く短波長Beyond EUVリソグラフィー技術

シンポジウム：軟Ｘ線多層膜が拓く短波長Beyond EUVリソグラフィー技術

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N103-1~11]

2.4 ライフサイエンス・医療・宇宙地球環境・放射線教育

2 放射線：2.4 ライフサイエンス・医療・宇宙地球環境・放射線教育

シンポジウム(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N104-1~7]

微かな電気の検出が我々の世界を支える

シンポジウム：微かな電気の検出が我々の世界を支える

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 15:30)

[9p-N104-1~5]

微かな電気の検出が我々の世界を支える

シンポジウム：微かな電気の検出が我々の世界を支える

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)

[9a-N105-1~10]

21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

一般セッション(口頭講演)(13:15 〜 19:00)

[9p-N105-1~21]

21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N106-1~11]

FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」：FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)

[9p-N106-1~9]

FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

FS フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」：FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N107-1~11]

6.4 薄膜新材料

6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:15)

[9p-N107-1~14]

6.4 薄膜新材料

6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[9a-N201-1~10]

6.1 強誘電体薄膜

6 薄膜・表面：6.1 強誘電体薄膜

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:15)

[9p-N201-1~14]

6.1 強誘電体薄膜

6 薄膜・表面：6.1 強誘電体薄膜

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:15)

[9p-N202-1~17]

3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

3 光・フォトニクス：3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N202-1~11]

CS.5 3.10 フォトニック構造・現象、3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御のコードシェアセッション

CS コードシェアセッション：【CS.5】3.10 フォトニック構造・現象、3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御のコードシェアセッション

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N203-1~9]

4.3 Laser sources and Laser applications

4 JSAP-Optica Joint Symposia 2025：4.3 Laser sources and Laser applications

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:15)

[9p-N203-1~9]

4.3 Laser sources and Laser applications

4 JSAP-Optica Joint Symposia 2025：4.3 Laser sources and Laser applications

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:00)

[9p-N204-1~16]

3.11 ナノ領域光科学･近接場光学

3 光・フォトニクス：3.11 ナノ領域光科学･近接場光学

一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:45)

[9a-N204-1~8]

4.6 Terahertz Photonics

4 JSAP-Optica Joint Symposia 2025：4.6 Terahertz Photonics

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[9a-N205-1~10]

13.8 光物性・発光デバイス

13 半導体：13.8 光物性・発光デバイス

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:30)

[9p-N205-1~8]

13.8 光物性・発光デバイス

13 半導体：13.8 光物性・発光デバイス

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:45)

[9p-N206-1~15]

6.3 酸化物エレクトロニクス

6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 12:15)

[9a-N206-1~11]

15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

15 結晶工学：15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N221-1~11]

3.1 光学基礎・光学新領域

3 光・フォトニクス：3.1 光学基礎・光学新領域

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:30)

[9p-N221-1~14]

3.10 フォトニック構造・現象

3 光・フォトニクス：3.10 フォトニック構造・現象

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N301-1~11]

15.4 III-V族窒化物結晶

15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 19:00)

[9p-N301-1~19]

15.4 III-V族窒化物結晶

15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N302-1~11]

15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

15 結晶工学：15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 15:00)

[9p-N302-1~6]

15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

15 結晶工学：15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:15)

[9p-N303-1~10]

KS.1 固体量子センサ研究会

KS 研究会セッション：KS.1 固体量子センサ研究会

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[9a-N303-1~9]

10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

10 スピントロニクス・マグネティクス：10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)

[9a-N304-1~10]

KS.2 量子情報工学研究会

KS 研究会セッション：KS.2 量子情報工学研究会

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:45)

[9p-N304-1~15]

KS.2 量子情報工学研究会

KS 研究会セッション：KS.2 量子情報工学研究会

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:30)

[9p-N305-1~15]

12.8 特定テーマ：有機無機ハイブリッドペロブスカイトの光電物性・デバイス作製・構造制御

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.8 特定テーマ：有機無機ハイブリッドペロブスカイトの光電物性・デバイス作製・構造制御

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N305-1~11]

15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:45)

[9p-N306-1~11]

3.6 レーザープロセシング

3 光・フォトニクス：3.6 レーザープロセシング

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)

[9a-N306-1~10]

12.4 有機EL・トランジスタ

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.4 有機EL・トランジスタ

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:30)

[9p-N307-1~15]

6.6 プローブ顕微鏡

6 薄膜・表面：6.6 プローブ顕微鏡

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N307-1~11]

CS.10 6.6 プローブ顕微鏡、12.2 評価・基礎物性のコードシェアセッション

CS コードシェアセッション：【CS.10】6.6 プローブ顕微鏡、12.2 評価・基礎物性のコードシェアセッション

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:30)

[9a-N321-1~13]

KS4 量子エネルギー変換研究会

KS 研究会セッション：KS4 量子エネルギー変換研究会

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:15)

[9p-N321-1~17]

15.4 III-V族窒化物結晶

15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 12:00)

[9a-N322-1~8]

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 19:00)

[9p-N322-1~20]

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 12:00)

[9a-N323-1~9]

13.9 化合物太陽電池

13 半導体：13.9 化合物太陽電池

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 16:30)

[9p-N323-1~11]

13.9 化合物太陽電池

13 半導体：13.9 化合物太陽電池

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:30)

[9p-N324-1~19]

8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 10:00)

[9a-N324-1~4]

8.3 プラズマナノテクノロジー

8 プラズマエレクトロニクス：8.3 プラズマナノテクノロジー

一般セッション(口頭講演)(10:15 〜 10:45)

[9a-N324-5~5]

8.8 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

8 プラズマエレクトロニクス：8.8 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N401-1~11]

CS.9 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

CS コードシェアセッション：【CS.9】6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:30)

[9p-N401-1~15]

CS.9 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

CS コードシェアセッション：【CS.9】6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 12:00)

[9a-N402-1~7]

3.7 光計測技術・機器

3 光・フォトニクス：3.7 光計測技術・機器

一般セッション(口頭講演)(16:00 〜 17:45)

[9p-N402-1~6]

3.7 光計測技術・機器

3 光・フォトニクス：3.7 光計測技術・機器

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 12:00)

[9a-N403-1~11]

7.2 電子ビーム応用

7 ビーム応用：7.2 電子ビーム応用

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:45)

[9p-N403-1~16]

7.2 電子ビーム応用

7 ビーム応用：7.2 電子ビーム応用

一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:00)

[9a-N404-1~6]

11.1 基礎物性

11 超伝導：11.1 基礎物性

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 17:45)

[9p-N404-1~15]

11.4 アナログ応用および関連技術

11 超伝導：11.4 アナログ応用および関連技術

一般セッション(口頭講演)(13:30 〜 18:30)

[9p-N405-1~18]

11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

11 超伝導：11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 10:30)

[9a-N405-1~6]

16.2 エナジーハーベスティング

16 非晶質・微結晶：16.2 エナジーハーベスティング

一般セッション(口頭講演)(10:00 〜 11:45)

[9a-N406-1~7]

1.3 新技術・複合新領域

1 応用物理学一般：1.3 新技術・複合新領域

一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:30)

[9p-N406-1~13]

1.6 超音波

1 応用物理学一般：1.6 超音波

シンポジウム(口頭講演)(10:00 〜 11:45)

[9a-S101-1~2]

【一般公開】就活生必見！次世代を担う頭脳 ― 半導体産業の最前線

シンポジウム：【一般公開】就活生必見！次世代を担う頭脳 ― 半導体産業の最前線

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 15:40)

[9p-S101-1~13]

【一般公開】就活生必見！次世代を担う頭脳 ― 半導体産業の最前線

シンポジウム：【一般公開】就活生必見！次世代を担う頭脳 ― 半導体産業の最前線

シンポジウム(口頭講演)(13:00 〜 17:15)

[9p-S102-1~9]

二次元物質量子エレクトロニクス

シンポジウム：二次元物質量子エレクトロニクス

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[9a-S102-1~7]

17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

17 ナノカーボン・二次元材料：17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:00)

[9p-S103-1~7]

熱流れの中で発電する新しい熱エネルギー変換について語る

シンポジウム：熱流れの中で発電する新しい熱エネルギー変換について語る

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:30)

[9a-S103-1~9]

12.3 機能材料・萌芽的デバイス

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.3 機能材料・萌芽的デバイス

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:20)

[9p-S201-1~9]

最先端デバイスへつなぐ有機作製技術と構造制御

シンポジウム：最先端デバイスへつなぐ有機作製技術と構造制御

チュートリアル(10:00 〜 12:00)

[9a-S201-1~1]

いまさら聞けない有機薄膜太陽電池の基礎：変換効率25％は原理的に達成可能か？

座長：吉田郵司(産総研)

チュートリアル：いまさら聞けない有機薄膜太陽電池の基礎：変換効率25％は原理的に達成可能か？

シンポジウム(口頭講演)(9:30 〜 12:00)

[9a-S202-1~9]

【一般公開】学術会議に適したMICE施設とは？ーMICEインフラを考えるー

シンポジウム：【一般公開】学術会議に適したMICE施設とは？ーMICEインフラを考えるー

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 18:30)

[9p-S202-1~10]

水電解および二酸化炭素還元デバイスとシステムの現状

シンポジウム：水電解および二酸化炭素還元デバイスとシステムの現状

シンポジウム(口頭講演)(13:30 〜 17:35)

[9p-S203-1~8]

宇宙開発を支えるバイオデバイス科学の最前線

シンポジウム：宇宙開発を支えるバイオデバイス科学の最前線

一般セッション(口頭講演)(9:00 〜 11:45)

[9a-S203-1~10]

13.5 デバイス／配線／集積化技術

13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

一般セッション(口頭講演)(9:30 〜 11:30)

[9a-S301-1~7]

23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

23 合同セッションN「インフォマティクス応用」：23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

一般セッション(口頭講演)(13:00 〜 16:30)

[9p-S301-1~12]

23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

23 合同セッションN「インフォマティクス応用」：23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

シンポジウム(口頭講演)(9:00 〜 12:30)

[9a-S302-1~9]

外界からの刺激作用による細胞制御：刺激作用の伝達から制御効果の発現までを理解する

シンポジウム：外界からの刺激作用による細胞制御：刺激作用の伝達から制御効果の発現までを理解する

一般セッション(口頭講演)(16:00 〜 17:30)

[9p-S302-1~6]

12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[9p-P01-1~10]

3.3 生体・医用光学

3 光・フォトニクス：3.3 生体・医用光学

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[9a-P01-1~17]

6.2 カーボン系薄膜

6 薄膜・表面：6.2 カーボン系薄膜

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[9p-P02-1~5]

3.5 超高速・高強度レーザー

3 光・フォトニクス：3.5 超高速・高強度レーザー

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[9a-P02-1~24]

6.3 酸化物エレクトロニクス

6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[9p-P03-1~29]

3.7 光計測技術・機器

3 光・フォトニクス：3.7 光計測技術・機器

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[9a-P03-1~6]

6.5 表面物理・真空

6 薄膜・表面：6.5 表面物理・真空

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[9p-P04-1~7]

3.9 光量子物理・技術

3 光・フォトニクス：3.9 光量子物理・技術

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[9a-P04-1~33]

9 応用物性（ポスター）

9 応用物性：9 応用物性（ポスター）

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[9p-P05-1~4]

3.12 半導体光デバイス

3 光・フォトニクス：3.12 半導体光デバイス

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[9a-P05-1~3]

13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

13 半導体：13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[9p-P06-1~37]

12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

12 有機分子・バイオエレクトロニクス：12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[9a-P06-1~3]

13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

一般セッション(ポスター講演)(9:30 〜 11:30)

[9a-P07-1~8]

KS.1 固体量子センサ研究会

KS 研究会セッション：KS.1 固体量子センサ研究会

一般セッション(ポスター講演)(13:30 〜 15:30)

[9p-P07-1~8]