[8a-PB3-1~5]13.3 絶縁膜技術
2026年9月8日(火) 11:00 〜 12:30
PB3 (第2体育館)
セッション一覧（分科別）
13 半導体：13.3 絶縁膜技術
[10a-F211-1~8]13.3 絶縁膜技術
2026年9月10日(木) 9:00 〜 11:00
F211 (フロンティア応用科学研究棟)
座長：三谷 祐一郎(都市大)
シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の成膜機構、及び特性解析
[11a-E201-1~8]13.3 絶縁膜技術
2026年9月11日(金) 9:00 〜 11:00
E201 (総合教育棟 E棟)
座長：山本 圭介(熊本大)
Ge基板、酸化物半導体基板、及びHigh-k絶縁膜を用いたゲートスタック技術
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