[8a-A33-1~11]17.1 成長・成膜・構造制御
2026年9月8日(火) 9:00 〜 12:00
A33 (情報研究棟)
座長：日比野 浩樹(関学大)
遷移金属ダイカルコゲナイド二次元薄膜およびナノチューブの成長と、各種デバイス応用。結晶性評価、成長メカニズム、FETや太陽電池への応用を見据えた電気伝導特性や光学特性の評価に関する研究成果
セッション一覧（分科別）
17 ナノカーボン・二次元材料：17.1 成長・成膜・構造制御
[9a-E215-1~10]17.1 成長・成膜・構造制御
2026年9月9日(水) 9:00 〜 11:45
E215 (総合教育棟 E棟)
座長：生野 孝(東理大)
カーボンナノチューブおよびその他ナノカーボン材料の成長・分離技術、分光評価
[10a-S2-1~11]17.1 成長・成膜・構造制御
2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:00
S2 (総合教育棟 S講義棟)
座長：毛利 真一郎(立命館大)
遷移金属ダイカルコゲナイドおよび新奇カルコゲナイド系半導体材料の二次元薄膜成長、結晶性評価、デバイス応用。既存の方法とは異なる二次元半導体薄膜へのコンタクト形成法やドーピング法に関する研究成果
[11a-E308-1~8]17.1 成長・成膜・構造制御
2026年9月11日(金) 9:00 〜 11:00
E308 (総合教育棟 E棟)
座長：藤井 健志(産総研)
グラフェン・その他層状物質(酸化ゲルマネン/モリブデン)に関する成長技術等
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