[15a-M_124-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術 | 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[15a-M_124-1~13]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2026年3月15日(日) 9:00 〜 12:30

M_124 (本館)

9:00 〜 9:15

[15a-M_124-1]基板バイアスによる二層積層シリコン量子ドットの層依存輸送特性

〇(D)金駿午¹、二木大輝¹、水谷朋子¹、更屋拓哉¹、岡博史²、森貴洋²、小林正治¹、平本俊郎¹ (1.東大生研、2.産総研)

9:15 〜 9:30

[15a-M_124-2]二層積層量子ドットにおける共通バリアゲート感度を利用した層選択的制御の実証

〇(D)二木大輝¹、金駿午¹、水谷朋子¹、更屋拓哉¹、岡博史²、森貴洋²、小林正治¹、平本俊郎¹ (1.東大生研、2.産総研)

9:30 〜 9:45

[15a-M_124-3]シリコンスピン量子ビット状態読み出しにおけるデバイス・集積構造の影響検討

〇飯塚将太¹、浅井栄大¹、加藤公彦¹、稲葉工¹、宮本聡¹、岡博史¹、中山隆史¹、森貴洋¹ (1.産総研)

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[15a-M_124-4]パラメトリック増幅器の実現に向けたGe量子井戸中の量子キャパシタンスの評価

〇(M2)姜博¹、荒川雄登¹、Wen Chutian¹、松岡竜太郎¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東京科学大)

10:00 〜 10:15英語発表

[15a-M_124-5]Reinvestigation on Subthreshold Swing of Gate-All-Around Nanosheet FETs in
Quantum Limit for Voltage Scaling

〇Yaoping Xiao¹, Yuxuan Wang¹, Xiaoran Mei¹, Tomoko Mizutani¹, Takuya Saraya¹, Toshiro Hiramoto¹, Masaharu Kobayashi¹ (1.IIS, Univ. of Tokyo)

10:15 〜 10:30

[15a-M_124-6]マルチチャネルGAA MOSFETの特性の結晶面およびチャネル方向依存性

〇(M2)霜田龍成¹、金駿午¹、二木大輝¹、更屋拓哉¹、小林正治¹、平本俊郎¹ (1.東大生研)

10:45 〜 11:00

[15a-M_124-7]グラフェン/SiナノシートTD(Tunnel-Dielectric)TFTの検討

〇松尾直人¹、部家彰¹、住友弘二¹、山名一成¹、田部井哲夫² (1.兵庫県立大院、2.広島大半導体研)

11:00 〜 11:15

[15a-M_124-8]GeOI FinFETによるクライオCMOSの評価

〇張文馨¹、余心仁²、李耀仁^3,4、王永和²、前田辰郎¹ (1.産総研、2.台湾成功大、3.台湾半導体研究所、4.台湾陽明交通大)

11:15 〜 11:30

[15a-M_124-9]垂直積層型P-3NS/N-3NS Ge CFET

〇前田辰郎¹、朱方瑞^2,3、李耀仁^2,4、王永和³、張文馨¹ (1.産総研、2.台湾半導体研究所、3.台湾成功大、4.台湾陽明交通大)

11:30 〜 11:45英語発表

[15a-M_124-10]Study on Design-Technology Co-Optimization for Complementary FET Logic

〇(D)Yuxuan Wang¹, Yaoping Xiao¹, Jinhyun Chun¹, Xiaoran Mei¹, Takuya Saraya¹, Toshiro Hiramoto¹, Masaharu Kobayashi¹ (1.IIS, The University of Tokyo)

11:45 〜 12:00英語発表

[15a-M_124-11]Design–Technology Co-Optimization (DTCO) for Inner-Spacer Length Design
in Nanosheet Standard Cells Using a Pseudo Logic-Block Gauge

〇(D)Xiaoran Mei¹, Yaoping Xiao¹, Takuya Saraya¹, Toshiro Hiramoto¹, Masaharu Kobayashi^1,2 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.d.lab, Univ. of Tokyo)

12:00 〜 12:15

[15a-M_124-12]CFET SRAMにおけるシングルイベント時の臨界電荷特性の検討

〇福田浩一¹、服部淳一¹、安部晉一郎²、橋本昌宜³ (1.産総研、2.原子力機構、3.京大)

12:15 〜 12:30

[15a-M_124-13]GAAナノシート型Siチャネルにおける単一トラップ電荷起因ばらつきのTCADシミュレーション

〇神岡武文¹、服部淳一¹、岡田直也¹、福田浩一¹ (1.産総研 SFRC)

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