講演情報
[15a-M_124-12]CFET SRAMにおけるシングルイベント時の臨界電荷特性の検討
〇福田 浩一1、服部 淳一1、安部 晉一郎2、橋本 昌宜3 (1.産総研、2.原子力機構、3.京大)
キーワード：
半導体、CFET、シングルイベント
CFET構造を用いたSRAMセルにおけるシングルイベント時の臨界電荷特性をデバイスシミュレーションにより評価した。チャネルおよびドレインへの電荷注入に対する臨界電荷を、同一電源電圧およびオフ電流条件で調整したバルクMOSFET型SRAMと比較した結果、CFET構造では特にチャネル注入時に1桁以上小さい臨界電荷が示され、GAA的構造に起因する電荷閉じ込め効果が示唆された。