[15a-M_124-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

12:15 〜 12:30

[15a-M_124-13] GAAナノシート型Siチャネルにおける単一トラップ電荷起因ばらつきのTCADシミュレーション

〇神岡 武文¹、服部 淳一¹、岡田 直也¹、福田 浩一¹ (1.産総研 SFRC)

キーワード：

gate-all-around、特性ばらつき、トラップ電荷