講演情報
[15a-M_124-6]マルチチャネルGAA MOSFETの特性の結晶面およびチャネル方向依存性
〇(M2)霜田 龍成1、金 駿午1、二木 大輝1、更屋 拓哉1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)
キーワード：
Gate-All-Around (GAA) MOSFET、ナノシート、(110)
CMOS微細化に向け、MOSFETの構造はFinFETからGate-All-Around (GAA) に移行している。従来の(100)ウェーハを用いた場合、FinFETでは側面の(110)面が支配的であったのに対し、ナノシート状のGAAでは上下面の(100)面が支配的となり、正孔移動度の劣化およびNMOS/PMOS間の駆動能力のアンバランスが懸念される。そこで(110)ウェーハを用いたGAAが注目されている。本研究では(110)および(100)面SOIウェーハを用いてp型マルチチャネルGAA MOSFETを作製し、寄生成分を除去したMOSFETの特性を評価した。