講演情報
[15a-M_124-7]グラフェン/SiナノシートTD(Tunnel-Dielectric)TFTの検討
〇松尾 直人1、部家 彰1、住友 弘二1、山名 一成1、田部井 哲夫2 (1.兵庫県立大院、2.広島大半導体研)
キーワード：
ゲルマニウム、シリコン、トンネル注入TFT、シリコン・ナノシート
高機能薄膜トランジスタ（TFT）への応用目的でチャネル両端に極薄絶縁膜をもつTD（Tunnel-Dielectric）TFTを提案した。TDTFTの利点はオフ電流低減、ハンプ効果抑制である。他方、グラフェン伝導の解析的検討を行い，π電子の伝導経路の繰り返し最小単位の抵抗をπ電子経路抵抗と定義した。研究目的は、グラフェン/Siナノシート構造をもつTDTFTの動作、特にSiナノシートのエッジ領域における電界集中を検討する。