講演情報
[15a-M_124-9]垂直積層型P-3NS/N-3NS Ge CFET
〇前田 辰郎1、朱 方瑞2,3、李 耀仁2,4、王 永和3、張 文馨1 (1.産総研、2.台湾半導体研究所、3.台湾成功大、4.台湾陽明交通大)
キーワード：
ゲルマニウム、ナノシート、CFET
pFETとnFETを垂直積層するComplementary FET（CFET）は、面積効率と高集積化を両立する有力な次世代構造である。一方、ゲルマニウム（Ge）は高キャリア移動度を有する有望なチャネル材料であるが、界面トラップ密度の増大、エピ層の高転位密度、狭バンドギャップによるリーク電流など、信頼性と性能面での課題が残されている。本研究では、これらの課題を克服するためのGeナノシート(NS) 垂直積層型CFET製造プロセスの提案とその動作実証について報告する。