講演情報
[15a-PB1-3]セルロースナノファイバー添加によるつきまわり性および厚膜化向上と微細化を両立したストライク電解銅めっき
〇水谷 直貴1、伊志嶺 琉真2、古賀 裕章3、竹原 夕二朗4、青柳 昌宏4、橋新 剛3 (1.WDB株式会社、2.熊大工、3.熊大院先端、4.熊大半導体)
キーワード：
セルロースナノファイバー、電解銅めっき、半導体
本研究では、セルロースナノファイバー（CNF）を電解銅めっきに適用し、微細化およびつきまわり性向上を検討した。ノンシアンアルカリ銅浴にTEMPO酸化CNFを添加することで、光沢性を維持したまま表面粗さが大幅に低減し、堆積速度に伴う膜厚の増加が確認された。本講演では、CNFは銅めっき成長挙動や、半導体向けの放熱・電極（TSV構造）用途への適用可能性についても報告する予定である。