セッション詳細
[15a-PB1-1~9]13.5 デバイス／配線／集積化技術
2026年3月15日(日) 9:30 〜 11:00
PB1 (武道場 (B1F))
[15a-PB1-1]半導体バンドギャップを利用した温度制御による水素注入SiO2/Si構造からの水の昇温脱離分析
〇青木 夏美1、木本 健嗣1、小林 清輝1 (1.電子科学（株）)
[15a-PB1-2]微細配線におけるエレクトロマイグレーション信頼性評価のためのマルチフィジックス解析
〇田畑 海登1、釘尾 健正1、逸見 龍瑞1、溝端 悠介1、浜野 翔1、多田 宗弘1 (1.慶大理工)
[15a-PB1-3]セルロースナノファイバー添加によるつきまわり性および厚膜化向上と微細化を両立したストライク電解銅めっき
〇水谷 直貴1、伊志嶺 琉真2、古賀 裕章3、竹原 夕二朗4、青柳 昌宏4、橋新 剛3 (1.WDB株式会社、2.熊大工、3.熊大院先端、4.熊大半導体)
[15a-PB1-4]単結晶モリブデン微細構造における細線効果の異方性予測
〇来栖 貴史1、谷本 弘吉1、大内 和也1 (1.キオクシア)
[15a-PB1-5]Transient Thermal Response-Based Non-Destructive Failure Analysis for Through-Glass Vias
〇Byongjin Ma1, Juhee Baek1, Guesuk Lee1, Jemin Kim1 (1.KETI)
[15a-PB1-6]酸化物半導体を有する積層薄膜の深さ方向膜質評価
〇棚橋 優策1、坂田 智裕1、桑内 康文1、小川 慎吾1、関 洋文1、坂井 洸太2、小林 正治2 (1.東レリサーチセンター、2.東大生技研)
[15a-PB1-7]p-Ge1-xSnx/n-Ge ダイオードの逆方向電流にメサ深さが与える影響
〇山本 慶1、柴山 茂久1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
[15a-PB1-8]Large-scale integration of MoS2–Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric memristors for in-memory image denoising in neural networks
〇(D)jeehwan lee1,2, Do Kyung Yoon1, Woo Jong Yu1 (1.SKKU Univ., 2.Samsung Electronics)
[15a-PB1-9]Coexisting Ferroelectric and Resistive Switching HfZrO2 Capacitors toward High-Density Integrated Memory Architecture
〇(D)KuanLin Chen1, Junkai Lai1, WenRuey Yang1, Karthekeyan Periasamy2,3, JerChyi Wang1,4,5 (1.Chang Gung Univ., 2.Aalto Univ., 3.Nokia Networks & Solutions Oy, 4.Chang Gung Memorial Hospital, 5.Ming Chi Univ. of Tech.)