[15a-PB1-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[15a-PB1-7] p-Ge_1-xSn_x/n-Ge ダイオードの逆方向電流にメサ深さが与える影響

〇山本 慶¹、柴山 茂久¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹、中塚 理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

デバイス構造、p-nダイオード