[15a-PB2-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[15a-PB2-10] 逆バイアスアニール法によるGaNのプラズマ照射誘起欠陥の挙動評価(4)

〇藤綱 真斗¹、中村 成志¹ (1.東京都立大学)

キーワード：

窒化ガリウム、プラズマ照射誘起欠陥、逆バイアスアニール