[15a-PB2-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[15a-PB2-14] 量子補正モンテカルロシミュレーションによるダブルドープ構造InAsSb HEMTにおけるチャネル膜厚の特性への影響

児玉 直也¹、廣原 千夏¹、梅川 朋也¹、〇遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

HEMT、InAsSb、モンテカルロシミュレーション