講演情報
[15a-PB2-3]4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の理論解析
: NOアニールと界面欠陥の影響の検討
〇伊勢 直斗1、秋山 亨1、畠山 哲夫2、白石 賢二3、中山 隆史4 (1.三重大院工、2.富山県立大工、3.東北大CIES、4.千葉大理)
キーワード：
SiC、MOSFET、NOアニーリング
第一原理計算を用い、4H-SiC/SiO2界面へのN原子導入がバンド配列と双極子形成に及ぼす影響を定量的に評価した。N導入限界において、C面では界面双極子の増大によりCBOが増加し、m面では減少する傾向が見られた。また、酸化過程で残留しうるC-C欠陥とN導入の影響も解析し、Si面では欠陥近傍のN原子が双極子を逆転させCBOを減少させる可能性が示唆された。面方位や欠陥がバンド配列に与える影響について議論する。