[15a-PB2-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[15a-PB2-4] 多周波チャージポンピング法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのNITに起因した動的な形状成分の解明

田口 雄大¹、〇岡本 大¹ (1.富山県立大)

キーワード：

シリコンカーバイド、MOSFET、チャージポンピング