[15a-PB2-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[15a-PB2-6] ダイヤモンドMOSFETにおける2次元状態密度モデルを使った界面準位密度のエネルギー分布の評価

〇佐藤 解¹、松本 翼¹、小林 和樹¹、市川 公善¹、林 寛¹、小倉 正彦²、牧野 俊晴²、加藤 宙光²、竹内 大輔²、長井 雅嗣²、猪熊 孝夫¹、山崎 聡¹、徳田 規夫¹ (1.金沢大学、2.産総研)

キーワード：

界面準位密度、MOSFET、ダイヤモンド