[15a-PB2-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[15a-PB2-7] MOS界面とオーム性接触に対する同時低温熱処理を適用した反転型GaN MOSFETの試作

〇赤羽 陽斗¹、唐沢 陽向¹、高橋 尚伸¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

窒化ガリウム