講演情報
[15a-PB2-8]基底状態原子支援化学気相堆積法によるSiO2/n-Siおよび
SiO2/n-GaN MOS構造の熱処理ガス雰囲気の効果
〇吉川 隆太1、岡田 浩1、古川 雅一2、若原 昭浩1、山本 英明1、江田 光来1 (1.豊橋技術科学大学、2.アリエースリサーチ有限会社)
キーワード：
窒化ガリウム GaN、シリコン系絶縁膜、化学気相堆積法
ワイドギャップ半導体の普及に向け、高品質な絶縁膜形成が不可欠である。本研究では、低ダメージな成膜が可能な基底状態原子支援化学気相堆積（ASECVD）法を用い、Si及びGaN上へSiO2膜を堆積した。熱処理（PDA）の温度と雰囲気ガスが電気的特性に及ぼす影響を評価した結果、600℃のPDAによりリーク電流が低減した。特に水素を含むFG雰囲気下でのPDAにより、界面特性が改善し、良好なC-V特性が得られた。