講演情報
[15a-PB2-9]反転チャネルGaN-MOSFETの伝達特性の基板バイアス依存性評価
〇伊藤 健治1、成田 哲生2、井口 紘子2、岩崎 四郎2、菊田 大悟2 (1.名大IMaSS、2.豊田中研)
キーワード：
窒化ガリウム、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、原子層堆積法
AlSiO/AlN/p-GaNをゲート構造とするGaN-MOSFETの伝達特性について基板バイアス依存性を評価した。界面層としてAlNを用いた試料では、しきい値電圧がアクセプタ濃度を反映した基板バイアス依存性を示すことが明らかとなった。