[15a-S2_202-1~10] CS.1 2.3 加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェアセッション

9:45 〜 10:00

[15a-S2_202-4] Niイオン注入によるサファイア基板の表面抵抗制御と電子伝導機構の検討

〇(M1)金子 月海¹、小倉 暁雄²、片桐 創一² (1.筑波大電物、2.筑波大数理物質系)

キーワード：

イオン注入

荷電粒子加速器では、真空中で加速電極を支持する固体絶縁体が使用されており、沿面放電が問題となっている。我々は、放電抑制のために絶縁体表面の正帯電除去に着目し、サファイア基板にNiイオンを注入し、表面に僅かな導電性を付与することができるか検討した。本発表では、注入後のエッチングによって表面付近にNiを蓄積させ、表面抵抗が制御できることを確認し、その電子伝導機構について検討した結果を報告する。