[15a-S2_202-1~10] CS.1 2.3 加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェアセッション

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[15a-S2_202-9] Ar-GCIB照射による結合解離の加速電圧依存性

〇加藤 大智¹、瀬木 利夫²、松尾 二郎²、藤井 麻樹子³ (1.横浜国大理工、2.京大院工、3.横浜国大院環情)

キーワード：

二次イオン質量分析法、クラスターイオンビーム

イオンビーム照射による二次イオンの生成機構の解明に向け、試料表面起こるエネルギー授受に着目し、Ar-GCIB SIMS装置を用いて異なる加速電圧で測定を行った。サンプル分子内の特定の結合解離の様子から、一次イオンビームの照射効果について考察した。