[15a-S4_203-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 | 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-S4_203-1~11]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2026年3月15日(日) 9:00 〜 12:00

S4_203 (南4号館)

9:00 〜 9:15

[15a-S4_203-1]ミニマルファブを用いた半導体デバイス再形成技術の開発

〇関藤竜平¹、小粥敬成¹、杉山広¹、田中宏幸²、野田周一²、三浦典子²、池田伸一²、五明博之³、鈴木市郎³、原史朗^1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産総研、3.マッハコーポレーション)

9:15 〜 9:30

[15a-S4_203-2]ミニマルファブを用いた積層膜形成技術の開発

〇関藤竜平¹、小粥敬成¹、田中宏幸²、野田周一²、三浦典子²、池田伸一²、五明博之³、鈴木市郎³、原史朗^1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産総研、3.マッハコーポレーション)

9:30 〜 9:45

[15a-S4_203-3]ウェハドロップレット洗浄技術を用いたSC1/SC2薬液洗浄

〇根本一正¹、三浦典子¹、池田伸一¹、原史朗^1,2 (1.産総研、2.(株)Hundred Semiconductors)

9:45 〜 10:00

[15a-S4_203-4]ミニマルレーザ加熱装置よる水素雰囲気表面処理の半導体CMOSデバイスへの応用検討(Ⅲ)

〇佐藤和重^1,2、千葉貴史^1,2、寺田昌男^1,2、濱田健吾^1,2、金森義明³、三浦典子⁴、池田伸一⁴、原史朗⁴ (1.ミニマルファブ推進機構、2.坂口電熱、3.東北大、4.産総研)

10:00 〜 10:15

[15a-S4_203-5]ミニマル反応性スパッタ装置を用いた強誘電性HfN_xダイオードの作製

〇野田周一¹、薮田勇気²、山本直子²、亀井龍一郎²、三浦典子¹、池田伸一¹、大見俊一郎³、原史朗^1,4 (1.産総研、2.誠南工業、3.科学大、4.Hundred Semiconductors)

10:15 〜 10:30

[15a-S4_203-6]ミニマルファブを用いた2層Al配線TiNゲートSOI-CMOSプロセスの開発

〇小粥敬成¹、関藤竜平¹、田中宏幸²、三浦典子²、原史朗^1,2 (1.Hundred、2.産総研)

10:45 〜 11:00

[15a-S4_203-7]ミニマルファブで製造するデバイスの設計に関する検討

〇本郷仁啓¹、三浦典子¹、池田伸一¹、原史朗^1,2 (1.産総研、2.Hundred Semiconductors)

11:00 〜 11:15

[15a-S4_203-8]レーザーマイクロジェットによるミニマルファブ用0.5 インチウェハ切り出し技術とASIC 試作

〇角博文¹、島本直伸¹、落合幸徳¹、坪井伸二¹、最上徹¹、三田吉郎¹、天野英晴¹、小菅敦丈¹、池田誠¹ (1.東京大学)

11:15 〜 11:30

[15a-S4_203-9]ミニマルファブを用いたウェハ加工の評価

〇藤田龍哉¹、居村史人¹、佐藤和重²、原史朗^1,3 (1.株式会社Hundred Semiconductors、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

11:30 〜 11:45

[15a-S4_203-10]ミニマルファブを用いたSiインターポーザ製作の研究

〇田中宏幸¹、徳永博司²、田上佳代³、井関伸至³、安田正一³、野沢善幸⁴、速水利泰⁴、杉山広⁵、居村史人⁵、三浦典子¹、池田伸一¹、原史朗^1,5 (1.産総研、2.MTC、3.熊本防錆、4.SPPテクノロジーズ、5.Hundred Semiconductors)

11:45 〜 12:00

[15a-S4_203-11]ミニマル水プラズマアッシングプロセスのパッケージング材料への影響

〇三浦典子¹、エルデンザヤバトーオリギル²、シハチョースワ²、ニインタジンフライン²、谷口博紀²、杉山広³、居村史人³、相澤洸⁴、野川満徳⁴、大西康弘⁴、石島達夫²、池田伸一¹、原史朗^1,3 (1.産総研、2.金沢大学、3.Hundred Semiconductors、4.米倉製作所)

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