[15a-S4_203-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:45 〜 10:00

[15a-S4_203-4] ミニマルレーザ加熱装置よる水素雰囲気表面処理の半導体CMOSデバイスへの応用検討(Ⅲ)

〇佐藤 和重^1,2、千葉 貴史^1,2、寺田 昌男^1,2、濱田 健吾^1,2、金森 義明³、三浦 典子⁴、池田 伸一⁴、原 史朗⁴ (1.ミニマルファブ推進機構、2.坂口電熱、3.東北大、4.産総研)

キーワード：

レーザ加熱

Siアイランド形成後に表面処理を施すことでMOSデバイスの信頼性をより向上できる見通しを得た