講演情報

9:45 〜 10:00

[15a-S4_203-4]ミニマルレーザ加熱装置よる水素雰囲気表面処理の半導体CMOSデバイスへの応用検討(Ⅲ)

〇佐藤和重^1,2、千葉貴史^1,2、寺田昌男^1,2、濱田健吾^1,2、金森義明³、三浦典子⁴、池田伸一⁴、原史朗⁴ (1.ミニマルファブ推進機構、2.坂口電熱、3.東北大、4.産総研)

レーザ加熱

Siアイランド形成後に表面処理を施すことでMOSデバイスの信頼性をより向上できる見通しを得た