講演情報
[15a-S4_203-6]ミニマルファブを用いた2層Al配線TiNゲートSOI-CMOSプロセスの開発
〇小粥 敬成1、関藤 竜平1、田中 宏幸2、三浦 典子2、原 史朗1,2 (1.Hundred、2.産総研)
キーワード：
ビア抵抗、バリア層、コンタクト抵抗
ミニマルファブを用いた2層Al配線TiNゲートSOI-CMOSプロセスの開発を行ってきたが、2層Al配線については長らくビア抵抗の低減が課題となっていた。このビア抵抗をTi/Al/TiNというTi系バリア層を挿入することでプロセスフローを構築した。ビア抵抗の低減を確認し、さらにトランジスタ形成から2層Al配線までの一貫プロセス試作を行い、コンタクト抵抗についてもバリア層を挿入した構造について評価した。