[15a-S4_203-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

11:00 〜 11:15

[15a-S4_203-8] レーザーマイクロジェットによるミニマルファブ用0.5 インチウェハ切り出し技術とASIC 試作

〇角 博文¹、島本 直伸¹、落合 幸徳¹、坪井 伸二¹、最上 徹¹、三田 吉郎¹、天野 英晴¹、小菅 敦丈¹、池田 誠¹ (1.東京大学)

キーワード：

半導体LSI、ASIC、ミニマルファブ

本研究の目的は、標準的な200mmウェハ上に形成されたASICに対し、ミニマルファブ環境下で配線後工程を行う一貫プロセスの構築である。水流ガイドレーザー（Laser Microjet: LMJ）を用いることで、熱的損傷を抑制しつつ200mmウェハからミニマルファブ規格の0.5インチウェハを切り出す手法を適用した。さらに、独自開発の自動ベベリング装置でウェハ端面を最適化し、後工程のレジスト塗布におけるプロセス適合性を確保した。その結果、ミニマルファブのマスクレス露光装置等を用いて第5層金属配線の形成に成功し、大口径ウェハ上のデバイスをミニマルファブ装置群へ投入・加工可能にする一連のプロセスフローを実証した。