セッション詳細
[15a-W2_401-1~9]15.4 III-V族窒化物結晶
2026年3月15日(日) 9:00 〜 11:30
W2_401 (西2号館)
[15a-W2_401-1]フリップチップ加工に向けたBGaN縦型中性子検出器のデバイス構造検討
〇竹中 壮太郎1、工藤 涼兵1、安藤 光佑1、前田 百楽1、小久保 瑛斗2、都木 克之3、若林 源一郎4、小田 達郎5、日野 正裕6、本田 善央7、天野 浩7、井上 翼1、青木 徹3、中野 貴之1,3 (1.静大院工、2.名大院工、3.静大電研、4.近大原研、5.東大物性研、6.京大複合研、7.名大IMaSS)
[15a-W2_401-2]過酷環境下での動作を目指したBAlGaN中性子検出器の作製と評価
〇鈴木 隆介1、工藤 涼兵1、及川 徹1、中西 陽太1、小久保 瑛斗2、櫻井 良憲3、八島 浩3、牧野 高紘4、大島 武4、若林 源一郎5、本田 善央6、天野 浩6、井上 翼1、青木 徹7、中野 貴之1,7 (1.静大院工、2.名大院工、3.京大複合研、4.量研、5.近大原研、6.名大IMaSS、7.静大電研)
[15a-W2_401-3]全In組成域InAlN熱電薄膜のRF-MBE成長
〇堺 悠眞1、荒木 努2、出浦 桃子1,3 (1.早大理工、2.立命館大理工、3.立命館大R-GIRO)
[15a-W2_401-4]InGaN薄膜を用いた熱電デバイスの作製
〇野邊 淳之介1、星井 拓也2、粟田 舞衣1、三浦 拓也1、荒木 努3、渡邉 孝信1、出浦 桃子1 (1.早大理工、2.東京科学大工、3.立命館大理工)
[15a-W2_401-5]電界印加型pin構造GaN光導波路マッハツェンダ干渉計の作製プロセスの検討
〇香月 翔伍1、本田 一誠1、菅野 竜輝2、久保 直輝2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.日亜化学工業(株))
[15a-W2_401-6]SiNマスクを用いたGaN系ナノワイヤ・量子殻構造における成長条件の最適化
〇高橋 拓也1、手島 弘喜1、中川 碧1、山田 航己1、堀田 陽生1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、難波江 宏一2、丹羽 一将2、野中 健太朗3、倉岡 義孝3、吉野 隆史3、飯浜 準也4、楠瀬 好郎4、召田 雅実4 (1.名城大学、2.E&E Evolution(株)、3.日本ガイシ(株)、4.(株)東ソー)
[15a-W2_401-7]n-GaN 埋め込み量子殻レーザーにおける電流リーク経路の解析
〇山田 航己1、手島 弘喜1、高橋 拓也1、中川 碧1、堀田 陽生1、難波江 宏一2、丹羽 一将2、野中 健太朗3、倉岡 義孝3、吉野 隆史3、飯浜 準也4、楠瀬 好郎4、召田 雅実4、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.イー・アンド・イー・エボリューション(株)、3.日本ガイシ(株)、4.東ソー(株))
[15a-W2_401-8]三次元光遺伝学刺激のための積層型GaN-μLEDプローブ開発
〇花井 丈弥1、山田 晃大3、西川 敦2、Loesing Alexander2、関口 寛人1,3 (1.名城大、2.ALLOS、3.豊橋技大)
[15a-W2_401-9]フレキシブルLED/皮質脳波計測統合デバイスの開発
〇黒木 瑠莉1、松井 壱渡2、西川 淳3、Loesing Alexander3、引間 卓弥4、大川 宜昭4、関口 寛人1 (1.名城大、2.豊橋技大、3.ALLOS、4.獨協医大)
