講演情報
[15a-W2_401-5]電界印加型pin構造GaN光導波路マッハツェンダ干渉計の作製プロセスの検討
〇香月 翔伍1、本田 一誠1、菅野 竜輝2、久保 直輝2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.日亜化学工業(株))
キーワード：
マッハツェンダ干渉計、光デバイス、窒化ガリウム
マッハツェンダ干渉計(MZI)を多段接続した光AIアクセラレータは、電子回路と比較して低消費電力かつ高速な計算が可能なデバイスとして注目されている。我々はこれまでにMOS構造を用いた電界印加型GaN光導波路MZIを作成し、その基本動作を実証してきた。本研究では、より高速な変調を目的としてpin構造を導入した、電界印加型pin構造GaN光導波路MZIについて、その作製プロセスを検討したので報告する。