[15a-W8E_101-1~8] 13.3 絶縁膜技術

9:15 〜 9:30

[15a-W8E_101-2] RFスパッタ堆積したHfO₂/Ge構造の電気特性に堆積温度が及ぼす影響

山田 大地¹、佐藤 哲也²、〇王谷 洋平¹ (1.公立諏訪東理大、2.山梨大)

キーワード：

ゲルマニウム、二酸化ハフニウム