講演情報
[15a-W8E_101-3]二段階堆積と極薄GeO2/Ge界面の特性評価
〇井上 拓紀1、鈴木 拓光1、岩崎 好孝1、上野 智雄1、並木 美太郎1 (1.農工大院工)
キーワード：
半導体
Ge-MOSFETはSiと比較して電子-正孔ともに高いキャリア移動度を有しており、次世代高速ロジックデバイスへの応用が期待されている。しかし、ゲート絶縁膜候補であるGeO2は水溶性を示し、デバイス信頼性の向上が依然として課題である。本研究では、成膜温度の異なるGeO2膜の耐水性および電気特性に及ぼす影響を体系的に比較するとともに、二段階プロセスを導入し、耐水性と絶縁性の両立を目指す。