[15a-W8E_101-1~8] 13.3 絶縁膜技術

10:00 〜 10:15

[15a-W8E_101-5] 高誘電率MOSゲートスタックのためのHfO₂/ZrO₂/HfO₂薄膜の結晶化

〇神岡 武文^1,2、川那子 高暢^1,2、森田 行則^1,2、岡田 直也^1,2、間部 謙三^1,2、水林 亘^1,2、太田 裕之^1,2、松川 貴^1,2、右田 真司^1,2 (1.産総研 SFRC、2.LSTC)

キーワード：

半導体、MOS構造、high-k