[15a-W8E_101-1~8] 13.3 絶縁膜技術

10:30 〜 10:45

[15a-W8E_101-7] CETスケーリングに向けた直接High-k/Si構造の界面特性と電気特性

〇川那子 高暢^1,2、神岡 武文^1,2、森田 行則^1,2、岡田 直也^1,2、間部 謙三^1,2、水林 亘^1,2、太田 裕之^1,2、松川 貴^1,2、右田 真司^1,2 (1.産総研、SFRC、2.LSTC)

キーワード：

半導体、high-k